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Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻（Rthj-a）为130ºC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。
这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样，印刷电路板（PCB）面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的信号以及负载开关应用，用于包括数码相机、平板电脑和智能手机在内的高便携式消费电子产品。
Diodes公司首次推出的这对MOSFET，额定电压为20V，包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道组件。在VGS为1.8V的情况下，该N通道MOSFET的典型导通电阻为400mΩ，比最受欢迎的同类型SOT723封装MOSFET大约低50%，有助于大幅减少传导损耗和功率耗散。
Diodes之后还会推出采用DFN1212-3封装、额定电压为30V与60V的组件和一系列双极型器件。
Diodes简介
Diodes Incorporated 是一家标准普尔小市值 600 指数（S&P SmallCap 600 Index）及罗素 3000 指数公司，是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商，服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖 LED 驱动器、DC-DC 开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。
Diodes 公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州普莱诺市，在普莱诺市、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心；在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂；在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂，另在成都设有合资工厂；在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓储及物流办事处；并在世界各地设有销售及支持办事处。
更多详尽信息，包括美国证交会档案，请浏览公司网站：www.diodes.com。
这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样，印刷电路板（PCB）面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET可简易替换高可靠性的信号以及负载开关应用，用于包括数码相机、平板电脑和智能手机在内的高便携式消费电子产品。
Diodes公司首次推出的这对MOSFET，额定电压为20V，包含DMN2300UFD N通道以及DMP21D0UFD P通道组件。在VGS为1.8V的情况下，该N通道MOSFET的典型导通电阻为400mΩ，比最受欢迎的同类型SOT723封装MOSFET大约低50%，有助于大幅减少传导损耗和功率耗散。
Diodes之后还会推出采用DFN1212-3封装、额定电压为30V与60V的组件和一系列双极型器件。
Diodes简介
Diodes Incorporated 是一家标准普尔小市值 600 指数（S&P SmallCap 600 Index）及罗素 3000 指数公司，是活跃于广泛的分立、逻辑及模拟半导体市场的全球领先的高质量特殊应用标准产品的制造商及供应商，服务于消费电子、计算机、通信、工业及汽车等不同市场。Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特殊功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应及温度传感器，涵盖 LED 驱动器、DC-DC 开关和线性稳压器、电压参考在内的电源管理器件，以及 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及电机控制器等特殊功能器件。
Diodes 公司总部、物流中心及美国销售办事处位于美国德克萨斯州普莱诺市，在普莱诺市、加利福尼亚州圣荷西、台北、英国曼切斯特和德国诺伊豪斯设有设计、市场及工程中心；在密苏里州堪萨斯城及曼切斯特设有晶圆制造厂；在上海及德国诺伊豪斯分别设有两座和一座制造厂，另在成都设有合资工厂；在台北、香港及曼切斯特设有工程、销售、仓储及物流办事处；并在世界各地设有销售及支持办事处。
更多详尽信息，包括美国证交会档案，请浏览公司网站：
