IR为低功率应用推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFETs扩展了PQFN封装系列

本文作者:admin       点击: 2011-07-19 00:00
前言:
全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其PQFN封装系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET® MOSFET,为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案,这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET, 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如,IRLHS6276在只有4 mm2 的范围内,配备了两个典型导通电阻 (RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用,为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今,IR新增了这些封装,能够提供一系列低压PQFN产品,包括N通道和P通道器件,20V和30V器件,最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件,以及单器件或双器件,它们都拥有极低的导通电阻。”

这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件,可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm,与现有的表面贴装技术相兼容,并且拥有符合行业标准的占位空间,也符合电子产品有害物质管制规定  (RoHS) 。

有关产品现正接受批量订单。相关数据和MOSFET产品选型工具请浏览IR 的网站 www.irf.com。

IR简介
国际整流器公司 (简称IR,纽约证交所代号IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

IR 成立于 1947 年,总部设在美国洛杉矶,在二十个国家设有办事处。IR 全球网站:www.irf.com,中国网站:www.irf.com.cn。