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WT7162RHUG24A |
WT7162RHUG24B(新) |
WT7162RHUG24C(新) |
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Rds(on) |
240 mΩ |
150 mΩ |
480 mΩ |
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Vds min |
650 V |
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Power Efficiency 功率效率 |
> 93% |
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Power Density 功率密度 |
26 w/in3 |
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Max Frequency 最大频率 |
180 kHz |
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Wide Output Voltage Operation宽输出电压操作 |
USB-C PD 3.0 PPS 3.3V~21V |
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Package 封装 |
24-pin 8x8 QFN |
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特点 |
优势 |
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可调的 GaN FET 栅极转换速率控制 |
可以兼顾效率和电磁兼容 |
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不需要外部 VDD 线性稳压器电路(700 V 超高压启动电流直接取自交流线路电压) |
减少了元器件数量 |
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减小了封装电感 |
最大限度提升了芯片性能 |
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采用标准 8x8 QFN FF 封装 |
系统占用空间更低更小 |
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