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Nexperia推出应用专用MOSFET,为高功率工业应用提供增强的动态均流功能

本文作者:Nexperia       点击: 2025-10-01 17:56
前言:
省去繁琐且高成本的器件阈值电压匹配环节
2025年10月1日--Nexperia今日宣布,为旗下不断扩充的应用专用MOSFET (ASFET)产品组合再添新产品。ASFET系列的产品特性经优化调校,可满足特定终端应用的严苛需求。其中,80 V PSMN1R9-80SSJ与100 V PSMN2R3-100SSJ两款开关器件能够提供增强的动态均流功能,专为需要并联多个匹配MOSFET的高功率48 V应用设计。此类应用涵盖叉车、电动滑板车、代步设备等电动交通工具的电机驱动系统,或高功率工业电机。

 
在并联两个或多个MOSFET以实现高电流能力和降低导通损耗的过程中,设计人员往往难以确保在导通与关断阶段,负载电流可在各独立器件间均匀分配。VGS(th)值最低的MOSFET会最先导通,进而承受更高热应力,可能会加速器件失效。为保障足够的安全裕量,工程师通常会对终端应用中所用MOSFET的规格进行过度设计。这种方式不仅会增加成本、消耗更多时间,还需开展额外的测试,但仍难以保证器件在高负载电流(数十安培级别)场景下具有稳定表现。另一种方案是向供应商采购经过筛选匹配的器件,但同样会增加终端应用的整体成本。

Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET凭借优异的特性和增强的动态均流功能,可帮助设计人员规避上述两种方案的局限。在导通/关断过程中,针对单器件电流达50 A的应用场景,这两款开关能使并联器件间的电流差值减少50%;同时,VGS(th)参数差异范围缩小50%(最大值与最小值仅差0.6 V)。这一特性结合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on),有助于在功率开关应用中提升能效表现。

新款ASFET采用兼具耐用性与空间效率的8 mm×8 mm铜夹片LFPAK88封装,工作温度范围为-55℃至+175℃。

欲了解有关Nexperia ASFET的更多信息,请访问:https://www.nexperia.com/mosfets/asfets-current-sharing 

关于Nexperia
Nexperia总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有12,500多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。
 
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